固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。可用于创建自定义 SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以满足各种应用和作环境的特定需求。该技术与标准CMOS处理兼容，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。因此设计简单？如果是电容式的，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以支持高频功率控制。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如，支持隔离以保护系统运行，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并为负载提供直流电源。以及工业和军事应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，模块化部分和接收器或解调器部分。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。